Сотрудничество между Саутгемптонским (University of Southampton) и Кембриджским (University of Cambridge) университетами совершило новаторский прогресс в нашем понимании тех изменений, которые происходят при быстром нагревании материалов, сообщает «WordScience.org».
С использованием новейшего оборудования и специально разработанных датчиков «MEM» от «Mettler-Toledo», учёные из «University of Southampton’s Optoelectronic Research Centre» и «University of Cambridge’s Department of Materials Science» смогли исследовать поведение «PCM» (Phase-change memory), полупроводников, которые хранят информацию в электронных устройствах нового поколения, так как они нагреваются до 10000 градусов по Цельсию за одну секунду.
Полные результаты измерений были предоставлены профессору Линдсей Гриру из «University of Cambridge’s Department of Materials Science», анализ которых показал, что темпы роста кристаллов значительно отличается от других материалов, таких как стекло и кремний, которые не подверглись такому быстрому нагреванию.
Результаты, которые были опубликованы на этой неделе в «Nature Materials», показывают, что темпы роста кристаллов в этих материалах довольно высоки, чем мы полагалось ранее и рост их поведения зависим от окружающей среды. Свойства материалов существенно изменяются, когда они сокращаются до наноразмеров. Другими словами мы нашли метод непосредственного отбора материалов, которые послужат для повышения производительности памяти голодных смартфонов, компьютеров и т. д.
Профессор Dan Hewak из Саутгемптонского университета и его команда во главе с Behrad Gholipour снабдила «PCM» и сохранила её в очень тонкие плёнки.
«В Центре исследований оптоэлектроники в течение двух десятилетий мы изучали новые линзы и «PCM». Тем не менее, наше понимание того, что происходит при нагревании этих материалов, то есть, их кристаллизация и плавление, были ограничены скоростью нагрева около 10 ° С в минуту при использовании обычного термического анализа.
В своей статье, в том же номере журнала «Nature Materials», профессора Матиас Виттиг и Мартин Салинг из университета Аахена (Aachen University) в Германии, объяснили, почему этот прорыв является настолько важным: «Иржи Орава (Кембриджский университет) и его коллеги предоставили совершенно новый взгляд на наше понимание быстрых преобразований, происходящих в материалах, которые являются составляющими сегодняшних устройств памяти. Чтение и сохранение данных в оптическую память, такую как перезаписываемые компакт-диски (CD-RW и DVD) и формирующаяся новая электронная память могут происходить со скоростью в десятки наносекунд, но наше понимание того, что происходит при нагревании этих материалов, основано на экспериментах, где скорость нагревания гораздо медленнее».
Читайте также: Новости России и мира.