Ученые Университета Пенсильвании заявили, что им удалось разработать технологию изготовления энергонезависимой памяти, которая работает в 1000 раз быстрее, чем современная флэш-память, и способна надежно хранить данные в течение, как минимум, 100 тыс. лет.
Новый вид памяти основан на фазовом состоянии вещества и является разновидностью так называемой «фазовой памяти». По словам разработчиков, в основе созданной ими технологии лежат самостоятельно формирующиеся нанопроволоки из теллурида сурьмы и германия – соединений, способных менять свое фазовое состояние под воздействием электрического тока. Такие вещества могут иметь кристаллическую структуру, либо находиться в неупорядоченном аморфном состоянии, имея при этом разное электрическое сопротивление. Толщина нанопроволок памяти, по данным ученых, составляет 30-50 атомов в диаметре, длина – 10 мкм, сообщает TG Daily.
В результате первых экспериментов с образцом памяти удалось установить, что она способна записывать, читать и удалять биты данных со скоростью в 1000 раз выше средней скорости работы современных устройств на базе флэш-памяти. При этом, как отмечают ученые, их память потребляет очень маленькое количество электрической энергии, всего 0,7 мВт на операцию с одним битом. Однако, что бы ни утверждали разработчики, при работе с большими массивами данных такое энергопотребление вовсе не выглядит низким. Если на операцию с одним битом уходит 0,7 мВт, то нетрудно подсчитать, что на запись или чтение 1 кБ уйдет примерно 5,7 Вт, а на 1 МБ – около 5,9 кВт электроэнергии. Единственное, что в этой ситуации обнадеживает: данные на таком носителе могут надежно храниться в течение 100 тыс. лет.
Как рассказал TG Daily руководитель команды разработчиков Ритеш Эгарвал (Ritesh Agarwal), доцент кафедры изучения материалов, теоретически на основе данной технологии можно создавать терабитные модули памяти небольших размеров. По его убеждению, подобная память по части плотности записи может составить конкуренцию флэш-памяти. Он добавил, что выход подобной памяти на массовый рынок ожидается никак не раньше, чем через восемь, или даже десять лет. Отметим, что ранее аналитики предсказывали появление первых продуктов на базе фазовой памяти уже в 2007-2008 гг.
Мировые разработчики кремниевых микросхем давно ведут активные поиски новых технологий, которые позволят сократить стоимость производства, будут потреблять меньше энергии и, в то же время, работать быстрее сегодняшней флэш-памяти. В 2005 г. о разработке памяти, основанной на фазовых переходах, сообщали специалисты исследовательских лабораторий Philips. В конце 2006 г. подобная память была создана группой компаний, в число которых входила IBM, однако скорость работы их памяти была ниже. Компания Intel также ведет разработки в этой области, в апреле текущего года ею был продемонстрирован собственный чип фазовой памяти.
Читайте также: Новости России и мира.